DDR2 667和DDR2 800内存可以插在一起用吗？
DDR2 667和DDR2 800内存可以插在一起用吗？
我的主板是 Gigabyte GA-M55S-S3 v2
我试试看
可以的。
只要电脑系统支持，其他参数不冲突，是可以一起使用不会出现脊雀兼容问题段州的。
内存条兼容性主要考虑以下几点：
内存的选取上基本看3大项。
第一考虑的是主频，因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。
例如 主板支持800/1066/1333之类的，并不是说主板可以同时插这几种不同的规格。
比如插的第一条是800MHz，第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行，这是一个“水桶效应”你的主板支持多少，在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。
而且，内存品牌最好一致，否则不同厂商使用的不同工艺即使在参数一致的情况下也有可能出现不兼容的情况。
第二是容量，虽然说内存的容量越大越好。但说实话一般用户使用4G的内存已经绰绰有余了。而且，32位的Winodws系统也只能支持到3.25G的内存容量。再大的系统就无法识别了。所以，如果要升级到4G以上就必须使用64位的系统了。
我不知道你的系统是多少位的，所以只能告诉你有这个限制。可以右击“我的电脑”选择“属性”里面有写系统是多少位的。
第三就是CL延迟，这个词比较专业无法三言两语和普通话来说明了。简略说明如下。
CL反应时间是衡定内存的另一个标志握野蔽。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。这是一个生产工艺导致的问题，因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 （代表了生产商的品质）
还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
虽然名字上只差毫厘，但DDR和DDR2却是完全不兼容的，DDR2接口为240Pins比DDR的184Pin长，而且电压亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗，这些都是DDR2内存的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同时脉下效能较低。 不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM内存的核心时脉就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存时脉已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取盯衫，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒时脉每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒哗举的时脉相等于I/O Buffer的时脉，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心时脉的一倍，而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔凯芦腔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心时脉下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的时脉，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到 CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
可以的~!~!800的会降频为667来兼容667的内存 但是打不开双通道
可以,不过要在BIOSS里面把800的频率改为667才不会出现蓝屏和死机
我的主板是 Gigabyte GA-M55S-S3 v2
我试试看
DDR2 667和DDR2 800内存可以插在一起用。禅早桐
可以用，但是都会按667的最高频率跑，而且不同频率的内存，兼容性会略差，但是如果能正常使用，是没有问题的。
在电脑各个配件之间有一个东西叫做兼容性，选购配件来组装电脑的时候应该第一考虑的是否是有很好的兼容性，只要兼容了一般都是可以使用，所有只要ddr2667和ddr2800内存条和主板都是兼容的那就可以两个一起用，这是完全没有问睁兄题的。
扩展资料
ddr2667和ddr2800内存条都是属于同一时间段的科技贺坦产物，它们的数字一般代表的是它们之间的工作频率的参数差别，相比之下，一般是数字越大的说明它的频率更高，这也就说明了ddr2800内存条的工作。
只要电脑系统支持，其他参数不冲突，是可以一起使用不会出现兼容问题的。内存条兼容性主要考虑的是主频，因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。
例如主板支持800/1066/1333之类的，并不是说主板可以同时插这几种不同的规格。比如插的第一条是800MHz，第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行，这是一个“水桶效应”你的主板支持多少，在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。
可以的。
只要电脑系统支持，其他参数不冲突，是可以一起使用不会出现脊雀兼容问题段州的。
内存条兼容性主要考虑以下几点：
内存的选取上基本看3大项。
第一考虑的是主频，因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。
例如 主板支持800/1066/1333之类的，并不是说主板可以同时插这几种不同的规格。
比如插的第一条是800MHz，第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行，这是一个“水桶效应”你的主板支持多少，在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。
而且，内存品牌最好一致，否则不同厂商使用的不同工艺即使在参数一致的情况下也有可能出现不兼容的情况。
第二是容量，虽然说内存的容量越大越好。但说实话一般用户使用4G的内存已经绰绰有余了。而且，32位的Winodws系统也只能支持到3.25G的内存容量。再大的系统就无法识别了。所以，如果要升级到4G以上就必须使用64位的系统了。
我不知道你的系统是多少位的，所以只能告诉你有这个限制。可以右击“我的电脑”选择“属性”里面有写系统是多少位的。
第三就是CL延迟，这个词比较专业无法三言两语和普通话来说明了。简略说明如下。
CL反应时间是衡定内存的另一个标志握野蔽。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。这是一个生产工艺导致的问题，因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 （代表了生产商的品质）
还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
虽然名字上只差毫厘，但DDR和DDR2却是完全不兼容的，DDR2接口为240Pins比DDR的184Pin长，而且电压亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗，这些都是DDR2内存的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同时脉下效能较低。 不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM内存的核心时脉就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存时脉已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取盯衫，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒时脉每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒哗举的时脉相等于I/O Buffer的时脉，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心时脉的一倍，而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔凯芦腔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心时脉下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的时脉，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到 CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
可以的~!~!800的会降频为667来兼容667的内存 但是打不开双通道
可以,不过要在BIOSS里面把800的频率改为667才不会出现蓝屏和死机
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